传统的硅微粉制取方法——SiH2Cl2法

文章来源：https://www.hayond.cn 发布时间：2022-05-17 浏览次数：50

SiH₂C_l2也可以生长高纯度多晶硅，但一般报道只有100Ω·cm，生长温度为1000℃，其能耗在氯硅烷中较低，只有90kW·h/kg。与SiH₂C_l2相比有以下缺点:它较易在反应壁上沉淀，硅棒上和管壁上沉积的比例为100:1，仅为SiH₂C_l2法的1%;易爆，而且还产生硅微粉，一次转换率只有17%，也比SiH₂C_l2法略低:最致命的缺点是SiH₂C_l2危险性极高，易燃易爆，且爆炸性极强，与空气混合后在很宽的范围内均可以爆炸，被认为比SiH₄还要危险，所以也不适合作硅微粉生产。然而，这类传统的制硅微粉方法存在明显的不足之处还包括易产生杂质，不利于大规模工业生产，在制取过程中操作和装置所引起的不同程度的沾污也将对其纯度有很大影响。随着硅微粉的应用越来越广泛，对硅材料又提出了新的要求。如:降低各种有害杂质含量和微缺陷，因此这个方法逐渐被时代淘汰。